可靠性试验失效分析中的破坏性物理分析和显微分析方法 集成电路产的另外一个名字是微电子。从这点可以看出集成电路是在很小的尺寸上进行产生的。短短十年之间，微电子器件的尺寸从原来的微米量级逐步缩小，到亚微米，深亚微米，再到今天的纳米量级。随之变化

可靠性试验封装失效分析的流程 为了提高微电子产品的可靠性，就应研究生产封装失效的原因。通过失效模式的确定，深入分析失效的机理，讨论并提出防止失效的方法。所以失效分析的一般路程： 1．数据的收集与分析。在完成现场失效数据收集报告和使用者报告后，

可靠性试验芯片失效分析的主要步骤和内容 1．芯片开封：去除IC封胶，同时保持芯片功能的完整无损，保持die，bondpads，bondwires乃至lead-frame不受损伤，为下一步芯片失效分析试验做准备。 2．SEM扫描电镜/EDX成分分析：包括材料结构分析/缺陷观察、元素组

芯片封装的可靠性试验失效分析 失效的分类 在电子元器件的失效物理与失效分析中，常用的失效类型有以下几种： 1．从失效率浴盆曲线区分 在大量电子元器件的使用及试验中，获得了大量失效率(t)(元器件在t时刻尚未失效，在t时刻后的单位时间内发生失效的概率)

的数据分析与处理 可靠性试验的数据分析方法 可靠性试验的数据分析的基础就是产品寿命分布函数及参量之间的关系。例如故障与应力（电、热、振动、温度等）的对应关系；故障与产品早期性能变化的规律等，这些包含有两个变量的数据，在分析时就可用相关及回归